Давно известно, что процессоры Intel поколения Nehalem получат интегрированный контроллер памяти. Флагманский Bloomfield, например, будет иметь трёхканальный контроллер памяти с поддержкой DDR3-1333. Более массовые четырёхъядерные процессоры Lynnfield будут иметь только два канала для работы с памятью. Компания AMD давно перенесла контроллер памяти в процессор, и тесты показывают эффективность такого решения в задачах с интенсивным обращением к памяти.
Сайт TG Daily попробовал оценить, какой выигрыш получат процессоры Intel от перехода на использование интегрированного контроллера памяти. Если сейчас рост производительности подсистемы памяти сдерживается пропускной способностью системной шины, то с появлением процессоров Nehalem этот перекос будет устранён. Например, модули памяти в своём развитии дошли до DDR3-2000, а процессоры Intel в большинстве своём освоили только частоту шины 1333 МГц, и только одна из моделей в исполнении LGA 775 имеет частоту шины 1600 МГц. Конечно, в реальности отставание системной шины оверклокеры устраняют путём разгона процессора, но такой путь нельзя считать официальным способом повышения эффективности работы подсистемы памяти.
Коллеги утверждают, что с появлением процессоров поколения Nehalem, которые будут обладать 64-разрядными контроллерами памяти, эффективность использования пропускной способности памяти увеличится с нынешних 50-60% до 90%. Таким образом, системная шина перестанет быть тем узким местом, которое не даёт скоростной памяти проявить себя в системах на базе процессоров Intel.
По оценкам неких "промышленных источников", как сообщает сайт TG Daily, процессоры Lynnfield с двухканальным контроллером памяти смогут увеличить пропускную способность памяти до 18,5-20,1 Гб/с при использовании модулей типа DDR3-1333. Трёхканальный контроллер памяти процессоров Bloomfield позволит поднять этот показатель до 30 Гб/с. Следовательно, модули памяти типа DDR-3 смогут раскрыть значительную часть своего потенциала после появления процессоров Nehalem.
RSS 2.0